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不同情況下的可控硅負(fù)荷能力不同
發(fā)布時(shí)間:2023-05-26      點(diǎn)擊次數(shù):1723

可控硅,即可控硅模塊,也就是我們俗稱的功率半導(dǎo)體模塊,目前在我國的電力電子技術(shù)領(lǐng)域發(fā)揮著重要的作用,獲得了廣泛的應(yīng)用于關(guān)注,當(dāng)然,可控硅模塊也有很多種類,不同種類的可控硅模塊不僅特點(diǎn)不同,同時(shí),負(fù)荷能力也大有差距,尤其是在電壓不同的情況下差異很大。通常情況下來說,可控硅模塊的負(fù)荷能力與電壓大小有著直接關(guān)系,接下來,小編就來給大家說說不同電壓下的可控硅模塊負(fù)荷能力。

1、在1.1倍額定電壓下,可控硅模塊能夠長期運(yùn)行。

2、在1.15倍額定電壓下,能夠每24小時(shí)中運(yùn)行30分鐘。

3、在1.2倍額定電壓下每月中運(yùn)行2次,每次5分鐘。

4、在1.3倍額定電壓下每月中運(yùn)行2次,每次1分鐘。

5、值得了解的是可控硅模塊成套裝置在有效值為1.3倍額定電流下能夠連續(xù)運(yùn)行。

當(dāng)然,現(xiàn)在一些可控硅模塊能夠通過晶閘管過零和峰值投切,無需放電,投切速度較快,適用于各種場合的無功補(bǔ)償,所以,選擇合適的電壓即可。


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